Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDD7030BL

FDD7030BL

Nur als Referenz

Teilenummer FDD7030BL
PNEDA Teilenummer FDD7030BL
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.016
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDD7030BL Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDD7030BL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDD7030BL, FDD7030BL Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 126,76 KB)
PDFFDD7030BL Datenblatt Cover
FDD7030BL Datenblatt Seite 2 FDD7030BL Datenblatt Seite 3 FDD7030BL Datenblatt Seite 4 FDD7030BL Datenblatt Seite 5 FDD7030BL Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDD7030BL Datasheet
  • where to find FDD7030BL
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDD7030BL
  • FDD7030BL PDF Datasheet
  • FDD7030BL Stock

  • FDD7030BL Pinout
  • Datasheet FDD7030BL
  • FDD7030BL Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDD7030BL Price
  • FDD7030BL Distributor

FDD7030BL Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14A (Ta), 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1425pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.8W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-PAK (TO-252)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SQS482EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1865pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

AON4703

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

TK25E06K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IXTA6N50P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB100N12S305ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

120V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 240µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11570pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

Paket / Fall

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Kürzlich verkauft

MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR

MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

SMCJ70CA-E3/57T

SMCJ70CA-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 70V 113V DO214AB

MBRS340T3G

MBRS340T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

ABS07-32.768KHZ-T

ABS07-32.768KHZ-T

Abracon

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

MAX3232ESE+

MAX3232ESE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

FGH75T65UPD

FGH75T65UPD

ON Semiconductor

IGBT 650V 150A 375W TO-247AB

20IMX35D12D12-8G

20IMX35D12D12-8G

Bel Power Solutions

DC DC CONVERTER 12V 12V 12V 35W

FOD4108V

FOD4108V

ON Semiconductor

OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

CAT93C46VI-GT3

CAT93C46VI-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SOIC

MAX811MEUS+T

MAX811MEUS+T

Maxim Integrated

IC VOLT MON W/RESET SOT143-4

SF-1206F700-2

SF-1206F700-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 7A 24VDC 1206