GWM120-0075X1-SLSAM
Nur als Referenz
| Teilenummer | GWM120-0075X1-SLSAM |
| PNEDA Teilenummer | GWM120-0075X1-SLSAM |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
GWM120-0075X1-SLSAM Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | GWM120-0075X1-SLSAM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
GWM120-0075X1-SLSAM, GWM120-0075X1-SLSAM Datenblatt
(Total Pages: 6, Größe: 629,8 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- GWM120-0075X1-SLSAM Datasheet
- where to find GWM120-0075X1-SLSAM
- IXYS
- IXYS GWM120-0075X1-SLSAM
- GWM120-0075X1-SLSAM PDF Datasheet
- GWM120-0075X1-SLSAM Stock
- GWM120-0075X1-SLSAM Pinout
- Datasheet GWM120-0075X1-SLSAM
- GWM120-0075X1-SLSAM Supplier
- IXYS Distributor
- GWM120-0075X1-SLSAM Price
- GWM120-0075X1-SLSAM Distributor
GWM120-0075X1-SLSAM Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 110A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 17-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS-DIL™ |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A, 33A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 12V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PG-TISON-8 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket TUMT6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 3V Leistung - max 200mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-SuperMiniMold |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68.6nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket X4-DSN3118-6 |
