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GHXS015A120S-D1E

GHXS015A120S-D1E

Nur als Referenz

Teilenummer GHXS015A120S-D1E
PNEDA Teilenummer GHXS015A120S-D1E
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 1.2KV 15A SOT227
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 6.192
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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GHXS015A120S-D1E Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGHXS015A120S-D1E
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GHXS015A120S-D1E, GHXS015A120S-D1E Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 542,45 KB)
PDFGHXS015A120S-D1E Datenblatt Cover
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GHXS015A120S-D1E Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieSilicon Carbide Schottky
Spannung - Peak Reverse (Max)1.2kV
Current - Average Rectified (Io)15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 15A
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Single Phase

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Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-ESIP

Lieferantengerätepaket

D3K

GBU8M

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBL10-M3/45

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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