GC05MPS12-252
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Teilenummer | GC05MPS12-252 |
PNEDA Teilenummer | GC05MPS12-252 |
Beschreibung | SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2 |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.858 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GC05MPS12-252 Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | GC05MPS12-252 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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GC05MPS12-252 Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) | 27A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 5A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 4µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F. | 359pF @ 1V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | TO-252-2 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |