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FZT857TA

FZT857TA

Nur als Referenz

Teilenummer FZT857TA
PNEDA Teilenummer FZT857TA
Beschreibung TRANS NPN 300V 3.5A SOT-223
Hersteller Diodes Incorporated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FZT857TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFZT857TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
FZT857TA, FZT857TA Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 440,57 KB)
PDFFZT857TC Datenblatt Cover
FZT857TC Datenblatt Seite 2 FZT857TC Datenblatt Seite 3 FZT857TC Datenblatt Seite 4 FZT857TC Datenblatt Seite 5 FZT857TC Datenblatt Seite 6 FZT857TC Datenblatt Seite 7

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FZT857TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic345mV @ 600mA, 3.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 10V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang80MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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-

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 2V

Leistung - max

750mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 3.3A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

700µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

Leistung - max

90W

Frequenz - Übergang

2.5MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/336

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78

FCX1051ATA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 100mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

290 @ 10mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

155MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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