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TIP2955G

TIP2955G

Nur als Referenz

Teilenummer TIP2955G
PNEDA Teilenummer TIP2955G
Beschreibung TRANS PNP 60V 15A TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 17.430
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TIP2955G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTIP2955G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
TIP2955G, TIP2955G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 109,11 KB)
PDFTIP3055G Datenblatt Cover
TIP3055G Datenblatt Seite 2 TIP3055G Datenblatt Seite 3 TIP3055G Datenblatt Seite 4 TIP3055G Datenblatt Seite 5 TIP3055G Datenblatt Seite 6

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TIP2955G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3V @ 3.3A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)700µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 4A, 4V
Leistung - max90W
Frequenz - Übergang2.5MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

3-SIP

Lieferantengerätepaket

MT-2-A1

UML6NTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN + Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 10mA, 2V

Leistung - max

120mW

Frequenz - Übergang

320MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

UMT5

NJVMJD47T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

1.56W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

FMMT560TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

500V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 50mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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