FZT696BTC
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| Teilenummer | FZT696BTC |
| PNEDA Teilenummer | FZT696BTC |
| Beschreibung | TRANS NPN 180V 0.5A SOT223 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.982 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FZT696BTC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FZT696BTC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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FZT696BTC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 180V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 200mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 150 @ 200mA, 5V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | 70MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-225AA |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 3A, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5.5 @ 12A, 5V Leistung - max 200W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V Leistung - max 25W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 3A, 4V Leistung - max 80W Frequenz - Übergang 20MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
