FZ1800R12HE4B9HOSA2
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| Teilenummer | FZ1800R12HE4B9HOSA2 |
| PNEDA Teilenummer | FZ1800R12HE4B9HOSA2 |
| Beschreibung | MODULE IGBT IHMB190-2 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.434 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FZ1800R12HE4B9HOSA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FZ1800R12HE4B9HOSA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FZ1800R12HE4B9HOSA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single Switch |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2735A |
| Leistung - max | 11000W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 1800A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 110nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 750W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP2 Lieferantengerätepaket SP2 |
