FZ1600R17KF6CB2NOSA1
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| Teilenummer | FZ1600R17KF6CB2NOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FZ1600R17KF6CB2NOSA1 |
| Beschreibung | MODULE IGBT A-IHM130-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.084 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FZ1600R17KF6CB2NOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FZ1600R17KF6CB2NOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FZ1600R17KF6CB2NOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2600A |
| Leistung - max | 12500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1600A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 3mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 105nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 420A Leistung - max 1380W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Leistung - max 515W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1.5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250A Leistung - max 890W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
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