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APTGF90DH60T3G

APTGF90DH60T3G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF90DH60T3G
PNEDA Teilenummer APTGF90DH60T3G
Beschreibung IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.770
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTGF90DH60T3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF90DH60T3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF90DH60T3G, APTGF90DH60T3G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 502,4 KB)
PDFAPTGF90DH60T3G Datenblatt Cover
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APTGF90DH60T3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationAsymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)110A
Leistung - max416W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce4.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Boost Chopper, Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

205A

Leistung - max

835W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF90SK60D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Leistung - max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

APTGT200DA120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

6mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

DF200R12W1H3B27BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

375W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.3V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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