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FZ1200R33KL2CB5NOSA1

FZ1200R33KL2CB5NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FZ1200R33KL2CB5NOSA1
PNEDA Teilenummer FZ1200R33KL2CB5NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FZ1200R33KL2CB5NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFZ1200R33KL2CB5NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FZ1200R33KL2CB5NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2300A
Leistung - max14500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.65V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce145nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

625A

Leistung - max

2000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 500A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D4

Lieferantengerätepaket

D4

FF450R12IE4BOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

2550W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT50A120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGF165DA60D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

230A

Leistung - max

730W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

670A

Leistung - max

2750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

21mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Y3-DCB

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