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FZ1000R12KF5NDSA1

FZ1000R12KF5NDSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FZ1000R12KF5NDSA1
PNEDA Teilenummer FZ1000R12KF5NDSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 1000A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.158
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FZ1000R12KF5NDSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFZ1000R12KF5NDSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FZ1000R12KF5NDSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
Eingabe-
NTC-Thermistor-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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APTGT25DA120D1G

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

APTGT75A120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

DD800S45KL3B5NPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

1600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-50°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS225R12OE4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™+

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

350A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FT150R12KE3GB4BDLA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

3 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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