FST63100M
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| Teilenummer | FST63100M |
| PNEDA Teilenummer | FST63100M |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.412 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FST63100M Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FST63100M |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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FST63100M Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 30A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1mA @ 100V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 3-SIP Module |
| Lieferantengerätepaket | D61-3M |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 400A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 90ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
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