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MUR40010CT

MUR40010CT

Nur als Referenz

Teilenummer MUR40010CT
PNEDA Teilenummer MUR40010CT
Beschreibung DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 2.628
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MUR40010CT Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUR40010CT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MUR40010CT, MUR40010CT Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 688,03 KB)
PDFMUR40020CTR Datenblatt Cover
MUR40020CTR Datenblatt Seite 2 MUR40020CTR Datenblatt Seite 3

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MUR40010CT Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)400A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 125A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)90ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTwin Tower
LieferantengerätepaketTwin Tower

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Hersteller

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Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

56A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 60A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

SR3030PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (TO-3P)

BAT54XY,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

DAP202KT146

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 70V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMD3

MSKD200-08

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 300A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

9mA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D2

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