Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQT2P25TF

FQT2P25TF

Nur als Referenz

Teilenummer FQT2P25TF
PNEDA Teilenummer FQT2P25TF
Beschreibung MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.928
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQT2P25TF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQT2P25TF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQT2P25TF, FQT2P25TF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 991,32 KB)
PDFFQT2P25TF Datenblatt Cover
FQT2P25TF Datenblatt Seite 2 FQT2P25TF Datenblatt Seite 3 FQT2P25TF Datenblatt Seite 4 FQT2P25TF Datenblatt Seite 5 FQT2P25TF Datenblatt Seite 6 FQT2P25TF Datenblatt Seite 7 FQT2P25TF Datenblatt Seite 8 FQT2P25TF Datenblatt Seite 9 FQT2P25TF Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQT2P25TF Datasheet
  • where to find FQT2P25TF
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQT2P25TF
  • FQT2P25TF PDF Datasheet
  • FQT2P25TF Stock

  • FQT2P25TF Pinout
  • Datasheet FQT2P25TF
  • FQT2P25TF Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQT2P25TF Price
  • FQT2P25TF Distributor

FQT2P25TF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.550mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 275mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223-4
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOT286L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3142pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

FQB16N25CTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 139W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

405nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1000W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

IRFD224PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

630mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 380mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

8.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

XC6VLX130T-2FFG1156I

XC6VLX130T-2FFG1156I

Xilinx

IC FPGA 600 I/O 1156FCBGA

MC14066BDR2G

MC14066BDR2G

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

LFXP2-17E-6FTN256I

LFXP2-17E-6FTN256I

Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 201 I/O 256FTBGA

ATMEGA2561-16AI

ATMEGA2561-16AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 256KB FLASH 64TQFP

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

MC74HC373ADWR2G

MC74HC373ADWR2G

ON Semiconductor

IC LATCH OCTAL 3ST TRANS 20SOIC

SMBJ33CA-13-F

SMBJ33CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 33V 53.3V SMB

ATMEGA128-16AU

ATMEGA128-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

MPSA70RLRMG

MPSA70RLRMG

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.1A TO-92