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FQP6N40CF

FQP6N40CF

Nur als Referenz

Teilenummer FQP6N40CF
PNEDA Teilenummer FQP6N40CF
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 17.700
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQP6N40CF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQP6N40CF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQP6N40CF, FQP6N40CF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.303,09 KB)
PDFFQP6N40C Datenblatt Cover
FQP6N40C Datenblatt Seite 2 FQP6N40C Datenblatt Seite 3 FQP6N40C Datenblatt Seite 4 FQP6N40C Datenblatt Seite 5 FQP6N40C Datenblatt Seite 6 FQP6N40C Datenblatt Seite 7 FQP6N40C Datenblatt Seite 8 FQP6N40C Datenblatt Seite 9 FQP6N40C Datenblatt Seite 10

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FQP6N40CF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieFRFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds625pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)73W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Paket / Fall

Die

DMN3020UFDF-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 8V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1304pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.03W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type F)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

STW28NK60Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

264nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

BUK7M11-40HX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1022pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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-

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150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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