STW28NK60Z
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| Teilenummer | STW28NK60Z |
| PNEDA Teilenummer | STW28NK60Z |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 27A TO-247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STW28NK60Z Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STW28NK60Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STW28NK60Z Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 264nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6350pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 350W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 5V Vgs (Max) +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
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