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FPF2C110BI07AS2

FPF2C110BI07AS2

Nur als Referenz

Teilenummer FPF2C110BI07AS2
PNEDA Teilenummer FPF2C110BI07AS2
Beschreibung NON - ISOLATION SOLAR INVERTER (
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $915,8506
50 ---------- $872,9201
100 ---------- $829,9896
200 ---------- $787,0591
400 ---------- $751,2837
500 ---------- $715,5083
Auf Lager 342
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FPF2C110BI07AS2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFPF2C110BI07AS2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FPF2C110BI07AS2, FPF2C110BI07AS2 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 957,5 KB)
PDFFPF2C110BI07AS2 Datenblatt Cover
FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 2 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 3 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 4 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 5 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 6 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 7 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 8 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 9 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 10 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 11

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FPF2C110BI07AS2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Leistung - max300W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall30-DIP Module
LieferantengerätepaketF2

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

70nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FMS7G10US60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Leistung - max

66W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.71nF @ 30V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

25PM-AA

Lieferantengerätepaket

25PM-AA

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Leistung - max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.97nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

FS800R07A2E3B31BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGV75H60T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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