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FPF2C110BI07AS2

FPF2C110BI07AS2

Nur als Referenz

Teilenummer FPF2C110BI07AS2
PNEDA Teilenummer FPF2C110BI07AS2
Beschreibung NON - ISOLATION SOLAR INVERTER (
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $915,8506
50 ---------- $872,9201
100 ---------- $829,9896
200 ---------- $787,0591
400 ---------- $751,2837
500 ---------- $715,5083
Auf Lager 342
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FPF2C110BI07AS2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFPF2C110BI07AS2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FPF2C110BI07AS2, FPF2C110BI07AS2 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 957,5 KB)
PDFFPF2C110BI07AS2 Datenblatt Cover
FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 2 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 3 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 4 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 5 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 6 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 7 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 8 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 9 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 10 FPF2C110BI07AS2 Datenblatt Seite 11

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FPF2C110BI07AS2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Leistung - max300W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall30-DIP Module
LieferantengerätepaketF2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

4050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP35R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Leistung - max

215W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT225DA170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FD200R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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