APTGT450DA60G
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| Teilenummer | APTGT450DA60G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT450DA60G |
| Beschreibung | IGBT 600V 550A 1750W SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.938 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT450DA60G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT450DA60G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT450DA60G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 550A |
| Leistung - max | 1750W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 450A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Boost Chopper, Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 295A Leistung - max 1050W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 30nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
