FP75R12KT4B11BOSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | FP75R12KT4B11BOSA1 |
PNEDA Teilenummer | FP75R12KT4B11BOSA1 |
Beschreibung | IGBT MODULE 1200V 75A |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.964 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP75R12KT4B11BOSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FP75R12KT4B11BOSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FP75R12KT4B11BOSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Konfiguration | Three Phase Inverter |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
Leistung - max | 385W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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