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FP10R12W1T4B11BOMA1

FP10R12W1T4B11BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer FP10R12W1T4B11BOMA1
PNEDA Teilenummer FP10R12W1T4B11BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 100A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.614
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FP10R12W1T4B11BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFP10R12W1T4B11BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FP10R12W1T4B11BOMA1, FP10R12W1T4B11BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 633,98 KB)
PDFFP10R12W1T4B11BOMA1 Datenblatt Cover
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FP10R12W1T4B11BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Leistung - max105W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce600pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

285A

Leistung - max

1087W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21.2nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FAM65HR51DS2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGT200H120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Leistung - max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

APTGT100A60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

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