FP100R07N3E4B11BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FP100R07N3E4B11BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FP100R07N3E4B11BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 600V 100A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.078 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP100R07N3E4B11BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP100R07N3E4B11BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FP100R07N3E4B11BOSA1, FP100R07N3E4B11BOSA1 Datenblatt
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FP100R07N3E4B11BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 335W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
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