FMM50-025TF
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| Teilenummer | FMM50-025TF |
| PNEDA Teilenummer | FMM50-025TF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.406 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FMM50-025TF Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FMM50-025TF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FMM50-025TF Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Leistung - max | 125W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | i4-Pac™-5 |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V Leistung - max 7.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 870mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 81pF @ 15V Leistung - max 260mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
