FJNS3215RBU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FJNS3215RBU |
| PNEDA Teilenummer | FJNS3215RBU |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.238 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FJNS3215RBU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FJNS3215RBU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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FJNS3215RBU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Lieferantengerätepaket | TO-92S |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 260mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket SOT-723 |
