FGH75N60SFTU
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| Teilenummer | FGH75N60SFTU |
| PNEDA Teilenummer | FGH75N60SFTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 150A 452W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH75N60SFTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH75N60SFTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH75N60SFTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 452W |
| Schaltenergie | 2.7mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 250nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/138ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.53V @ 15V, 20A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 500nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/445ns Testbedingung 600V, 100A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 4V, 15A Leistung - max 115W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 395W Schaltenergie 1.4mJ (on), 1.65mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/140ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 182ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 833W Schaltenergie 8045µJ (on), 7640µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/620ns Testbedingung 800V, 75A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
