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FGH30N6S2

FGH30N6S2

Nur als Referenz

Teilenummer FGH30N6S2
PNEDA Teilenummer FGH30N6S2
Beschreibung IGBT 600V 45A 167W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.790
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGH30N6S2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH30N6S2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH30N6S2, FGH30N6S2 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 281,66 KB)
PDFFGB30N6S2DT Datenblatt Cover
FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 2 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 3 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 4 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 5 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 6 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 7 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 8 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 9 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 10 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 11

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FGH30N6S2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Leistung - max167W
Schaltenergie55µJ (on), 100µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/40ns
Testbedingung390V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT64GA90B2D30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1192µJ (on), 1088µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/131ns

Testbedingung

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

STGP20M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

140µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/108ns

Testbedingung

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

166ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

STGW45NC60VD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

333µJ (on), 537µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/178ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

235A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

937W

Schaltenergie

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

147nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/230ns

Testbedingung

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV (IXYT)

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

1250V, 32A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1500ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

Kürzlich verkauft

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219-2MSTR

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MCP1725T-3302E/MC

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Microchip Technology

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1N4937-E3/54

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74VHC14MTC

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