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FGH30N6S2

FGH30N6S2

Nur als Referenz

Teilenummer FGH30N6S2
PNEDA Teilenummer FGH30N6S2
Beschreibung IGBT 600V 45A 167W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.790
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGH30N6S2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH30N6S2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH30N6S2, FGH30N6S2 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 281,66 KB)
PDFFGB30N6S2DT Datenblatt Cover
FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 2 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 3 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 4 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 5 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 6 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 7 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 8 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 9 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 10 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 11

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FGH30N6S2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Leistung - max167W
Schaltenergie55µJ (on), 100µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/40ns
Testbedingung390V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

6.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/400ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGW75M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

690µJ (on), 2.54mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/125ns

Testbedingung

400V, 75A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

165ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGP20M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

140µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/108ns

Testbedingung

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

166ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

IRGP4640DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

APT40GP90B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

101A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

795µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/90ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

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