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FGH20N6S2

FGH20N6S2

Nur als Referenz

Teilenummer FGH20N6S2
PNEDA Teilenummer FGH20N6S2
Beschreibung IGBT 600V 28A 125W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.064
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FGH20N6S2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH20N6S2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH20N6S2, FGH20N6S2 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 179,48 KB)
PDFFGP20N6S2 Datenblatt Cover
FGP20N6S2 Datenblatt Seite 2 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 3 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 4 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 5 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 6 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 7 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 8

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FGH20N6S2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A
Leistung - max125W
Schaltenergie25µJ (on), 58µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.7.7ns/87ns
Testbedingung390V, 7A, 25Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 5A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/190ns

Testbedingung

850V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IXGH32N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/85ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

SGP23N60UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

115µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/60ns

Testbedingung

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IRGP30B120KD-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 60A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.07mJ (on), 1.49mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGB10NC60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

MC14071BD

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RB521S30T5G

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DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523

MAX4162ESA+

MAX4162ESA+

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

749022015

749022015

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TRANSFORMER LAN 10/100/1000 SMD

PIC17C756A-33/L

PIC17C756A-33/L

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IC MCU 8BIT 32KB OTP 68PLCC

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

FDS4935BZ

FDS4935BZ

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MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

SMLP34RGB2W3

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LED RGB DIFFUSED PICOLED SMD

HCPL-0631-500E

HCPL-0631-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

MCP1826-3302E/ET

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LSM115JE3/TR13

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DIODE SCHOTTKY 15V 1A DO214BA

ATF-54143-TR1G

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