IXYP20N65C3D1M
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| Teilenummer | IXYP20N65C3D1M |
| PNEDA Teilenummer | IXYP20N65C3D1M |
| Beschreibung | IGBT 650V 18A 50W TO220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.528 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYP20N65C3D1M Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYP20N65C3D1M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYP20N65C3D1M Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 18A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 50W |
| Schaltenergie | 430µJ (on), 350µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/80ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 60A Leistung - max 520W Schaltenergie 300µJ (on), 4.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 290nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/310ns Testbedingung 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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