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FGA50N100BNTTU

FGA50N100BNTTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA50N100BNTTU
PNEDA Teilenummer FGA50N100BNTTU
Beschreibung IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.758
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FGA50N100BNTTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA50N100BNTTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA50N100BNTTU, FGA50N100BNTTU Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 702,48 KB)
PDFFGA50N100BNTTU Datenblatt Cover
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FGA50N100BNTTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 60A
Leistung - max156W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge257nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.34ns/243ns
Testbedingung600V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 25A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9.6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

290µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.2ns/281ns

Testbedingung

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

FGL40N120ANTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/110ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

NGTB75N65FL2WAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

610µJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/157ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

APT50GF120B2RG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Leistung - max

781W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 2.64mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/260ns

Testbedingung

800V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

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