FGA50N100BNTTU Datenblatt
FGA50N100BNTTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FGA50N100BNTTU
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 156W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 257nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/243ns Testbedingung 600V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |