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FF800R12KE3NOSA1

FF800R12KE3NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF800R12KE3NOSA1
PNEDA Teilenummer FF800R12KE3NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FF800R12KE3NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF800R12KE3NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF800R12KE3NOSA1, FF800R12KE3NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 141,09 KB)
PDFFF800R12KE3NOSA1 Datenblatt Cover
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FF800R12KE3NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1200A
Leistung - max3900W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 800A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce57nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Microsemi

Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Leistung - max

378W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

80µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.59nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Leistung - max

80W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.7nF @ 25V

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

MiniPack2

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

2900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

93nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-20°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Leistung - max

175W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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