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FF400R12KE3B2HOSA1

FF400R12KE3B2HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF400R12KE3B2HOSA1
PNEDA Teilenummer FF400R12KE3B2HOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 650V 400A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.282
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FF400R12KE3B2HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF400R12KE3B2HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF400R12KE3B2HOSA1, FF400R12KE3B2HOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 422,88 KB)
PDFFF400R12KE3B2HOSA1 Datenblatt Cover
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FF400R12KE3B2HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)580A
Leistung - max2000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce28nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

190W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF300DA120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

BSM50GD120DN2G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Leistung - max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

33nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF90DH60T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FF100R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

650nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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