FF200R12KE3HOSA1
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| Teilenummer | FF200R12KE3HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF200R12KE3HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.380 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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FF200R12KE3HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF200R12KE3HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FF200R12KE3HOSA1, FF200R12KE3HOSA1 Datenblatt
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FF200R12KE3HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | 1050W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 225W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1.1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
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