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FF1200R12KE3NOSA1

FF1200R12KE3NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF1200R12KE3NOSA1
PNEDA Teilenummer FF1200R12KE3NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FF1200R12KE3NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF1200R12KE3NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF1200R12KE3NOSA1, FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 578,57 KB)
PDFFF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Cover
FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 2 FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 3 FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 4 FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 5 FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 6 FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 7 FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 8 FF1200R12KE3NOSA1 Datenblatt Seite 9

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FF1200R12KE3NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max5000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce86nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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APTGT150A60TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E1

Lieferantengerätepaket

E1

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EasyPACK™ 1B

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

275W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF300DA120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

APTGL475DA120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

610A

Leistung - max

2080W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

24.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

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