APTGL475DA120D3G
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| Teilenummer | APTGL475DA120D3G |
| PNEDA Teilenummer | APTGL475DA120D3G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 610A 2080W D3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.154 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGL475DA120D3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGL475DA120D3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGL475DA120D3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 610A |
| Leistung - max | 2080W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 400A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 24.6nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-3 Module |
| Lieferantengerätepaket | D3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 780A Leistung - max 2140W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 58.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 62 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 62 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 625A Leistung - max 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 940W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 560A Leistung - max 1785W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
