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FESF8AT-E3/45

FESF8AT-E3/45

Nur als Referenz

Teilenummer FESF8AT-E3/45
PNEDA Teilenummer FESF8AT-E3-45
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.596
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FESF8AT-E3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFESF8AT-E3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FESF8AT-E3/45, FESF8AT-E3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 130,37 KB)
PDFFES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Cover
FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 2 FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 3 FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 4 FES8CT-5400HE3/45 Datenblatt Seite 5

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FESF8AT-E3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
LieferantengerätepaketITO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

CDLL0.5A30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA

Lieferantengerätepaket

DO-213AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

US1DWF-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

14pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5553US

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

92pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

NRVBS4201T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

860mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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