FESF8AT-E3/45
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| Teilenummer | FESF8AT-E3/45 |
| PNEDA Teilenummer | FESF8AT-E3-45 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FESF8AT-E3/45 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FESF8AT-E3/45 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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FESF8AT-E3/45 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Lieferantengerätepaket | ITO-220AC |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 1.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 8.5pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214BA Lieferantengerätepaket DO-214BA (GF1) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 860mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket SMC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AA Lieferantengerätepaket DO-213AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
