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FEPB16ATHE3/45

FEPB16ATHE3/45

Nur als Referenz

Teilenummer FEPB16ATHE3/45
PNEDA Teilenummer FEPB16ATHE3-45
Beschreibung DIODE ARRAY GP 50V 8A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.294
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FEPB16ATHE3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFEPB16ATHE3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
FEPB16ATHE3/45, FEPB16ATHE3/45 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 158,31 KB)
PDFFEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Cover
FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 2 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 3 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 4 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 5 FEP16JT-5410HE3/45 Datenblatt Seite 6

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FEPB16ATHE3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 50V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

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Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

VS-MBRB2045CTL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

FEPB16JTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

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Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

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