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FDS6986AS

FDS6986AS

Nur als Referenz

Teilenummer FDS6986AS
PNEDA Teilenummer FDS6986AS
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.320
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDS6986AS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS6986AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDS6986AS, FDS6986AS Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 554,82 KB)
PDFFDS6986AS Datenblatt Cover
FDS6986AS Datenblatt Seite 2 FDS6986AS Datenblatt Seite 3 FDS6986AS Datenblatt Seite 4 FDS6986AS Datenblatt Seite 5 FDS6986AS Datenblatt Seite 6 FDS6986AS Datenblatt Seite 7 FDS6986AS Datenblatt Seite 8 FDS6986AS Datenblatt Seite 9 FDS6986AS Datenblatt Seite 10

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FDS6986AS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A, 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 10V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

AO8804_100

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

DMN4031SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

945pF @ 20V

Leistung - max

1.42W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI5938DU-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

8.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Kürzlich verkauft

MAX3218EAP+T

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39213150000

39213150000

Littelfuse

FUSE BRD MNT 3.15A 250VAC RADIAL

IRM-20-24

IRM-20-24

MEAN WELL

AC/DC CONVERTER 24V 22W

MTFC4GLVEA-0M WT

MTFC4GLVEA-0M WT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 32G MMC 153WFBGA

74LCX574MTCX

74LCX574MTCX

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IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP

SP3003-02JTG

SP3003-02JTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 15V SC70-5

PME271Y447MR30

PME271Y447MR30

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CAP FILM 4700PF 20% 1KVDC RADIAL

AD9237BCPZ-40

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HCPL-5631

HCPL-5631

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OPTOISO 1.5KV 2CH OPEN COLL 8DIP