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FDMS1D4N03S

FDMS1D4N03S

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS1D4N03S
PNEDA Teilenummer FDMS1D4N03S
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 23.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMS1D4N03S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS1D4N03S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDMS1D4N03S, FDMS1D4N03S Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 609,65 KB)
PDFFDMS1D4N03S Datenblatt Cover
FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 2 FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 3 FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 4 FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 5 FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 6 FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 7 FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 8 FDMS1D4N03S Datenblatt Seite 9

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FDMS1D4N03S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.211A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.09mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 4.5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10250pF @ 15V
FET-FunktionSchottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)74W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-PQFN (5x6)
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SPW32N50C3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

560V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1.8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

284W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IXFK36N60P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

650W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.21mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3330pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FDB088N08

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6595pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STP8N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

NLV32T-068J-EF

NLV32T-068J-EF

TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

TAJB475K016RNJ

TAJB475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1411

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

AS5263-HQFM

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ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

ADM3260ARSZ

ADM3260ARSZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 20SSOP

BC807-16LT1G

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ON Semiconductor

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

2SC4793(F,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

BAT20JFILM

BAT20JFILM

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOD323

W25Q16JVSNIQ

W25Q16JVSNIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC

LTC6102HVIMS8#TRPBF

LTC6102HVIMS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC CURR SENSE 1 CIRCUIT 8MSOP