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FDMC86570LET60

FDMC86570LET60

Nur als Referenz

Teilenummer FDMC86570LET60
PNEDA Teilenummer FDMC86570LET60
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
Hersteller ON Semiconductor
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMC86570LET60 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMC86570LET60
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDMC86570LET60, FDMC86570LET60 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 328,14 KB)
PDFFDMC86570LET60 Datenblatt Cover
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FDMC86570LET60 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.18A (Ta), 87A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4790pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.8W (Ta), 65W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPower33
Paket / Fall8-PowerWDFN

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HUFA76639P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IRLU3114ZPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SCT2H12NZGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 900µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

184pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

NTMFS4933NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 210A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10930pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.06W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

ZXMN4A06GTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

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