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FDMC8097AC

FDMC8097AC

Nur als Referenz

Teilenummer FDMC8097AC
PNEDA Teilenummer FDMC8097AC
Beschreibung MOSFET N/P-CH 150V
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.448
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FDMC8097AC Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMC8097AC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMC8097AC, FDMC8097AC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 652,42 KB)
PDFFDMC8097AC Datenblatt Cover
FDMC8097AC Datenblatt Seite 2 FDMC8097AC Datenblatt Seite 3 FDMC8097AC Datenblatt Seite 4 FDMC8097AC Datenblatt Seite 5 FDMC8097AC Datenblatt Seite 6 FDMC8097AC Datenblatt Seite 7 FDMC8097AC Datenblatt Seite 8 FDMC8097AC Datenblatt Seite 9 FDMC8097AC Datenblatt Seite 10 FDMC8097AC Datenblatt Seite 11

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FDMC8097AC Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds395pF @ 75V
Leistung - max1.9W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-Power33 (3x3)

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

810mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

FDC6306P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

441pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SI6969BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

NTHD3100CT3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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