ALD110808ASCL
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| Teilenummer | ALD110808ASCL |
| PNEDA Teilenummer | ALD110808ASCL |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ALD110808ASCL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD110808ASCL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ALD110808ASCL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD® |
| FET-Typ | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12mA, 3mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 810mV @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 20V Leistung - max 75W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 8 x 8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 30V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
