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QS8M12TCR

QS8M12TCR

Nur als Referenz

Teilenummer QS8M12TCR
PNEDA Teilenummer QS8M12TCR
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

QS8M12TCR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQS8M12TCR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
QS8M12TCR, QS8M12TCR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 737,47 KB)
PDFQS8M12TCR Datenblatt Cover
QS8M12TCR Datenblatt Seite 2 QS8M12TCR Datenblatt Seite 3 QS8M12TCR Datenblatt Seite 4 QS8M12TCR Datenblatt Seite 5 QS8M12TCR Datenblatt Seite 6 QS8M12TCR Datenblatt Seite 7 QS8M12TCR Datenblatt Seite 8 QS8M12TCR Datenblatt Seite 9 QS8M12TCR Datenblatt Seite 10 QS8M12TCR Datenblatt Seite 11

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QS8M12TCR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 10V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketTSMT8

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A, 35A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 10V

Leistung - max

27W, 48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.28nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

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