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FDMA3023PZ

FDMA3023PZ

Nur als Referenz

Teilenummer FDMA3023PZ
PNEDA Teilenummer FDMA3023PZ
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.212
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMA3023PZ Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMA3023PZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMA3023PZ, FDMA3023PZ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 477,35 KB)
PDFFDMA3023PZ Datenblatt Cover
FDMA3023PZ Datenblatt Seite 2 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 3 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 4 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 5 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 6 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 7 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 8 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 9 FDMA3023PZ Datenblatt Seite 10

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FDMA3023PZ Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds530pF @ 15V
Leistung - max700mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-MicroFET (2x2)

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.1A, 10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 15V

Leistung - max

1.9W, 2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

432pF @ 25V

Leistung - max

52W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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SI4967DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4804BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Leistung - max

3.12W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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