FDG6306P
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDG6306P |
| PNEDA Teilenummer | FDG6306P |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.986 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDG6306P Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDG6306P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDG6306P Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 600mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 114pF @ 10V |
| Leistung - max | 300mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88 (SC-70-6) |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta), 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Leistung - max 490mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-HUSON-EP (2x2) |
