FDG6306P Datenblatt
FDG6306P Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FDG6306P
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 114pF @ 10V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) |