FDC606P
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| Teilenummer | FDC606P |
| PNEDA Teilenummer | FDC606P |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 659.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDC606P Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDC606P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDC606P Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1699pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SuperSOT™-6 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Ta), 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (5x6) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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