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FD150R12RT4HOSA1

FD150R12RT4HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FD150R12RT4HOSA1
PNEDA Teilenummer FD150R12RT4HOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 150A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.356
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FD150R12RT4HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFD150R12RT4HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FD150R12RT4HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieC
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Leistung - max790W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce9.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

2450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

66nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG7T15FF12Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EZIRPACK 1™ Module

Lieferantengerätepaket

EZIRPACK 1™

FF1000R17IE4DB2S4BOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1390A

Leistung - max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-PRIME3-1

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 100A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.96nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

FB10R06KL4BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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