FCP9N60N-F102
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| Teilenummer | FCP9N60N-F102 |
| PNEDA Teilenummer | FCP9N60N-F102 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 19 - Jan 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FCP9N60N-F102 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FCP9N60N-F102 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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FCP9N60N-F102 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 83.3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PB Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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