Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA449DJ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA449DJ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIA449DJ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA449DJ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SIA449DJ-T1-GE3, SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 208,99 KB)
PDFSIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIA449DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIA449DJ-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIA449DJ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIA449DJ-T1-GE3
  • SIA449DJ-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIA449DJ-T1-GE3 Stock

  • SIA449DJ-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIA449DJ-T1-GE3
  • SIA449DJ-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIA449DJ-T1-GE3 Price
  • SIA449DJ-T1-GE3 Distributor

SIA449DJ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2140pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SQJ860EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVD5803NT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTQ56N15T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

56A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

CPC3902CTR

IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 300mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 20V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Paket / Fall

TO-243AA

Kürzlich verkauft

1812L160/12DR

1812L160/12DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 12V 1.6A 1812

2SA1943-O(Q)

2SA1943-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

EP3C16F484I7N

EP3C16F484I7N

Intel

IC FPGA 346 I/O 484FBGA

AZ23C6V2-7-F

AZ23C6V2-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT23-3

0ZCJ0025AF2E

0ZCJ0025AF2E

Bel Fuse

PTC RESET FUSE 24V 250MA 1206

SMF5.0A

SMF5.0A

Littelfuse

TVS DIODE 5V 9.2V SOD123F

ESD9L3.3ST5G

ESD9L3.3ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9V SOD923

MAX1680ESA

MAX1680ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

LT1783CS5#TRMPBF

LT1783CS5#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT TSOT23-5

TAJA106K016RNJ

TAJA106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1206

CDRH127/LDNP-220MC

CDRH127/LDNP-220MC

Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM